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长电晶zha管xi列

产品名称:长电晶zha管xi列

所属类别:长电晶zha管xi列

产品简介:新jin沙电zi科技销售长电晶zha管xi列产品,可控硅整liu管,晶zha管现货交易,品牌销售,有需要的客户请联xi:13929253003.

详细介shao

       晶zha管quan称晶体zhaliu管,又jiao可控硅整liu管。内部是P-N-P-N半导体结构,有三个极xing,阳极、阴极、门极。

       晶zha管有硅整liu管的texing,能在gao压、大电liu下jin行整liu工作,是dian型的xiao电liu控zhi大电liu器件,且工作过程zhonghuai可加yi控zhi,所yi广fan应用于可控整liu、交liudiao压、无触点电zi开关、nibian及bian频等电zi电路謝iaoan生chu的晶zha管也是多种多样的,主要有:双向晶zha管、快速晶zha管、逆导晶zha管、光控晶zha管等。

使用注意事xiang

       选用可控硅的e定电压时,应参kao实际工作tiao件下的fengzhi电压的大xiao,并留chu一定的余量。

1、选用可控硅的e定电liu时,chuliaokao虑通过元件的平均电liuwai,huai应注意zheng常工作时导通jiao的大xiao、散re通风tiao件等因素。在工作zhonghuai应注意管壳温度bu超过相应电liu下的允许zhi。

2、使用可控硅之前,应该用万用表检cha可控硅是否liang好。发现有duan路huo断路现象时,应立即更换。

3、严禁用兆ou表(即摇表)检cha元件的jue缘情况。

4、电liu为5Ayi蓌i目煽毓枰吧e器,并且保证所规定的冷却tiao件。为保证散re器yu可控硅管心接触liang好,它们之间应涂上一薄层有ji硅youhuo硅脂,yibang于liang好的散re。

5、an规定对主电路zhong的可控硅采用过压及过liu保护装置。

6、要防止可控硅控zhi极的zheng向过载和fan向击穿。

sun坏原因pan别

       礲enha管sun坏后需要检cha分析qi原因时,可把管芯从冷却套zhong取chu,打开芯簒ing偃hu芯pian,观察qisun坏后的痕迹,yipan断是何原因。下面介shao几种常见现象分析。

1、电压击穿。晶zha管因bu能承受电压而sun坏,qi芯pianzhong有一个光洁的xiao孔,有时需用扩大镜才能看见。qi原因可能是管ziben身nai压下jianghuo被电路断开时产生的gao电压击穿。

2、电liusun坏。电liusun坏的痕迹te征是芯pian被烧成一个凹kang,且粗糙,qi位置在yuan离控zhi极上。

3、电liu上升率sun坏。qi痕迹yu电liusun坏相同,而qi位置在控zhi极附jinhuo就在控zhi极上。

4、 边缘sun坏。他发生在芯pianwai圆倒jiao处,有细xiao光洁xiao孔。用放大镜可看礿iang筳iao面上有细细jin属物划痕。zhe是zhizao厂家安装bu慎所zao成的。它导致电压击穿。

       长电晶zha管xi列产品清单:


晶zha管
可控硅整liu管
VDRM/VRRMIT(RMS)ITSMIGTVGT封装形式
(V)(A)(A)(uA)(V)
MCR100-64000.8102000.8TO-92
MCR100-64000.8102000.8SOT-89-3L
MCR100-86000.8102000.8TO-92
MCR100-86000.8102000.8SOT-89-3L
MCRN100-64000.8102000.8SOT-89-3L
MCRN100-86000.8102000.8SOT-89-3L
PCR0.66000.6----1200.8TO-92
PCR0.66000.6----1200.8SOT-23
晶zha管
三端双向可控硅
VDRMIT(RMS)ITSMIGT(I,II,III,IV)VGT封装形式
(V)(A)(A)(uA)(V)
BT1346004-200001.45TO-126
BT136600625100001.45TO-220-3L
BT136S600625100001.45TO-252-2L(4R)
BT137S8008651000001.5TO-252-2L(4R)
BTB04400442250001.5TO-220-3L
BTB06600660250001.45TO-220-3L
BTB1280012120500001.3TO-220-3L
MAC97A64001850001.5TO-92
MAC97A86001850001.5TO-92

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